沈阳工业大学《半导体物理》考试大纲
硕士研究生入学考试大纲
考试科目名称：半导体物理
一、考试大纲援引教材
《半导体物理学》国防工业出版社 朱秉升 刘恩科
二、考试要求：
全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程，并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
三、考试内容：
1）半导体中的电子状态
a: 导体的晶格结构和结合性质
b: 半导体中的电子状态和能带
c: 半导体中的电子运动有效质量
d: 本征半导体的导电机构 空穴
e: 回旋共振
f: 硅和锗的能带结构
2）半导体中杂质和缺陷能级
a: 硅、锗晶体中的杂质能级
b: 缺陷、位错能级
3）半导体中载流子的统计分布
a: 状态密度
b: 费米能级和载流子的统计分布
c: 本征半导体的载流子浓度
d: 杂质半导体的载流子浓度
e: 一般情况下的载流子统计分布
f: 简并半导体
4）半导体的导电性
a: 载流子的漂移运动
b: 载流子的散射
c: 迁移率与杂质浓度和温度的关系
d: 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
e: 强电场下的热载流子效应
5）非平衡载流子
a: 非平衡载流子的产生和复合
b: 非平衡载流子的寿命
c: 准费米能级
e: 复合理论
d: 陷阱效应
e: 载流子的扩散运动
f: 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式
g: 连续性方程式
6）金属和半导体的接触
a: 金属半导体接触及其能带图
b: 金属半导体接触整流理论
c: 少数载流子的注入和欧姆接触
7)半导体表面与MIS结构
a: 表面态
b: 表面电场效应
c: MIS结构的电容和电压特性
d: 硅-二氧化硅系统的性质
e: 表面电导及迁移率
8)半导体霍尔效应和半导体压阻效应